PMOS3401管道技術實現要素

本發(fā)明要解決的問題是提供一種PMOS3401晶體管及其形成方法。可以下降插塞和源漏區(qū)之間的接觸電阻。提高形成的半導體結構的性能。

為了解決上述問題。本發(fā)明提供了一種形成PMOS3401管的方法，包括:

提供襯底；在襯底上形成柵極結構。在柵極結構兩側的襯底上的第一外延層上形成第一外延層和第二外延層，在第二外延層中摻雜調制離子。

或者，形成第一外延層和第二外延層步驟包括以下步驟:在柵極結構兩側的襯底上形成開口；通過第一外延工藝將半導體材料填充到開口中。以形成第一外延層；在第一外延層上形成第一外延層

與現有技術相比。本發(fā)明技術具有以下優(yōu)點。

第二外延層構成與第一外延層一起形成PMOS3401晶體管的源漏區(qū)，第二外延層位于第一外延層上，使得后面形成的插塞與第二外延層接觸連接。由于第二外延層中存在調制離子，可以有效下降后面形成的插塞與第二外延層之間的肖特基勢壘。有效下降后面形成的插塞與形成的PMOS3401管的源漏區(qū)之間的接觸電阻。在本發(fā)明的其他方式中。修復離子進一步摻雜第二外延層中的修復離子，并且修復離子是PMOS3401tube；因此，修復離子加入可以有效抑制第二外延層中尖峰缺點的形成，有效提高后續(xù)形成的連接層的質量，下降前端放電現象的發(fā)生概率。有助于形成的半導體結構性能的提高。

以上是PMOS3401管材及其成型方法和工藝。如果您需要了解更多。請隨時聯(lián)系我們！