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霍爾效應(yīng)測(cè)試儀的優(yōu)勢(shì)

發(fā)布時(shí)間:2024-10-29 17:54:14 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) 分類:電氣知識(shí)

文章摘要: ? 霍爾效應(yīng)測(cè)試儀主要由恒定電流源,范德堡定律終端轉(zhuǎn)換器,低溫(77K)測(cè)量系統(tǒng)和磁場(chǎng)強(qiáng)度輸入系統(tǒng)組成。它具有用于研究半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)的所有組件和配置。它是一套非常成熟的儀器系統(tǒng)。? ?霍爾效應(yīng)測(cè)試儀主要用于測(cè)量重要參數(shù),例如載流子濃度,遷移率

? 霍爾效應(yīng)測(cè)試儀主要由恒定電流源,范德堡定律終端轉(zhuǎn)換器,低溫(77K)測(cè)量系統(tǒng)和磁場(chǎng)強(qiáng)度輸入系統(tǒng)組成。它具有用于研究半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)的所有組件和配置。它是一套非常成熟的儀器系統(tǒng)。


? ?霍爾效應(yīng)測(cè)試儀主要用于測(cè)量重要參數(shù),例如載流子濃度,遷移率,電阻率和半導(dǎo)體材料的霍爾系數(shù)。必須事先控制這些參數(shù),以了解半導(dǎo)體材料的電特性。因此,霍爾效應(yīng)測(cè)試儀是可以理解的,并且是研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料的電性能的必備工具??蓽y(cè)試材料:半導(dǎo)體材料:SiGe,SiC,InAs,InGaAs,InP,AlGaAs,和鐵氧體材料等;低阻抗材料:石墨烯,金屬,透明氧化物,弱磁半導(dǎo)體材料,TMR材料等;高阻抗材料:半絕緣GaAs,GaN,CdTe等。

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? 1.可靠的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。恒流源采用六電平電流范圍設(shè)置,以最大程度地減少可接收的偏差; Van der Pauw的規(guī)則轉(zhuǎn)換使用非接觸式設(shè)備來(lái)有效下降儀器噪音。軟件和硬件經(jīng)過(guò)專門設(shè)計(jì),以確保每個(gè)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)都是多次。測(cè)試的平均值使儀器具有很好的數(shù)據(jù)可重復(fù)性。


? 2.產(chǎn)品小型化,操作簡(jiǎn)單。小型磁場(chǎng)強(qiáng)度輸入系統(tǒng)使用永磁體和液氮低溫測(cè)量系統(tǒng)(77K),以確保儀器操作非常簡(jiǎn)單; 兩種不同尺寸的傳統(tǒng)樣品板(20 * 20mm,6 * 6mm)可制成不同尺寸和不同材料的薄膜。樣品更易于測(cè)量。


? 3.各種實(shí)驗(yàn)結(jié)果。霍爾效應(yīng)測(cè)試儀實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算,可以同時(shí)獲得載流子濃度,表層載流子濃度,遷移率,電阻率,霍爾系數(shù)等。



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霍爾效應(yīng)測(cè)試儀的優(yōu)勢(shì)

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