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晶圓切割的過程是什么?

發(fā)布時(shí)間:2024-11-04 01:09:17 來源:互聯(lián)網(wǎng) 分類:電氣知識(shí)

文章摘要: 晶圓切割是通過高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片(也是激光切割技術(shù))在晶圓上切割單個(gè)裸片,以形成獨(dú)立的單個(gè)晶圓,為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備。在切割過程當(dāng)中,需要使用去離子水沖洗掉切割過程當(dāng)中產(chǎn)生的硅渣并釋放出靜電。去離子水是由一臺(tái)二氧化碳純水機(jī)制備的,將二氧化碳?xì)?

晶圓切割是通過高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片(也是激光切割技術(shù))在晶圓上切割單個(gè)裸片,以形成獨(dú)立的單個(gè)晶圓,為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備。

在切割過程當(dāng)中,需要使用去離子水沖洗掉切割過程當(dāng)中產(chǎn)生的硅渣并釋放出靜電。去離子水是由一臺(tái)二氧化碳純水機(jī)制備的,將二氧化碳?xì)怏w溶解在離子水中可下降水的阻力,從而促進(jìn)靜電的釋放。

晶圓切割也稱為劃片,它使用高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片在晶圓上切割單個(gè)裸片,以形成獨(dú)立的單個(gè)晶圓,為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備。晶圓切割需要設(shè)備,也需要特定的切割刀片。該設(shè)備被廣泛用于半導(dǎo)體晶圓切割,陶瓷片切割,藍(lán)寶石玻璃切割等。

繃片是一個(gè)晶圓切割前的晶圓固定工序,在晶圓的背面貼上一層藍(lán)膜,并固定在一個(gè)金屬框架上,以利于后面切割。在貼膜的過程當(dāng)中要加60℃~80℃溫度,使藍(lán)膜能堅(jiān)固粘貼在晶圓上。在切割過程當(dāng)中,需要使用去離子水沖洗掉切割產(chǎn)生的硅渣并釋放出靜電。去離子水是由一臺(tái)二氧化碳純水機(jī)制備的。將二氧化碳?xì)怏w溶解在離子水中可下降水的阻力,從而促進(jìn)靜電的釋放。紫外線照射是要對切割的藍(lán)膜進(jìn)行紫外線照射,以下降藍(lán)膜的粘度并促進(jìn)后續(xù)的拾取。

晶圓切割分為半切和全切兩種,半切是切割4/5晶圓厚度,不會(huì)切透晶圓,然后用機(jī)械方式(銅棒滾過)使其自動(dòng)裂口形成獨(dú)立。


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