PMOS3401管其發(fā)熱什么原因

　　PMOS3401管廣泛用于電路設(shè)計(jì)中，但經(jīng)常出現(xiàn)問題。 現(xiàn)在，讓我們一起來了解PMOS3401管其發(fā)熱什么原因吧!

　　1、電路設(shè)計(jì)的問題是讓MOS晶體管在線工作，進(jìn)入生活狀態(tài)，而不是開關(guān)控制狀態(tài)。 這也是PMOS3401管發(fā)熱的重要原因。 使用N-MOS作為開關(guān)時(shí)，g類的電壓范圍會(huì)比其他電源高幾v，完全導(dǎo)通。 P-MOS正好相反。 電力消費(fèi)量雖然不可全開，但會(huì)受到電壓降過大的公司的影響。 等效直流系統(tǒng)阻抗相對(duì)較大，壓降增大。 損失意味著發(fā)熱。 這是我們?cè)O(shè)計(jì)和電路中禁忌的錯(cuò)誤。

　　2、PMOS3401管使用頻率過高，音量過高，頻率升高，金屬氧化物損失增加，加熱也增加是主要原因。

　　3、沒有足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高。 金屬氧化物半導(dǎo)體的額定電流值一般需要良好的散熱。 因此，id小于大電流時(shí)，有嚴(yán)重發(fā)熱的可能性，需要充分的輔助散熱器。

　　4、PMOS3401管的挑選錯(cuò)誤、功率判斷錯(cuò)誤。 對(duì)Mos晶體管內(nèi)阻的考慮不足，開關(guān)阻抗增大。

　　仔細(xì)查看PMOS3401晶體管的PDF參數(shù)。 金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管生產(chǎn)商可以使用RDS (導(dǎo)通)參數(shù)定義導(dǎo)通電阻。 對(duì)于開關(guān)技術(shù)的應(yīng)用來說。 RDS(on )也是重要的器件結(jié)構(gòu)特征。 根據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)的設(shè)計(jì)定義，rds(on )與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS和交換機(jī)中的信息電流有關(guān)。 但對(duì)學(xué)生來說，必須完全控制和驅(qū)動(dòng)閘門。 RDS(on )是公司相對(duì)靜態(tài)的模型參數(shù)。 一直插著的MOS管容易發(fā)熱。

　　由于器件邏輯幅度大、充放電過程長(zhǎng)、跨導(dǎo)小，工作速度低。 PMOS3401管問世后，大部分被NMOS課程取代。 然而，由于PMOS3401的電路技術(shù)簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉，一些中小型數(shù)字控制電路仍然采用PMOS電路技術(shù)。

　　一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管有三個(gè)管腳。 通常是g、d、s。 當(dāng)控制信號(hào)被施加在g和s之間時(shí)，可以改變d和s之間的導(dǎo)通和關(guān)斷。 PMOS3401管和NMOS在結(jié)構(gòu)上完全相似，不同的是襯底和源極/漏極的摻雜類型。 簡(jiǎn)單地說。 PMOS3401管是在p型硅襯底上挑選性摻雜形成的n型雜質(zhì)區(qū)域。 用作NMOS的源極/漏極區(qū)域。 PMOS是通過挑選性摻雜在n型硅基板上形成p型雜質(zhì)區(qū)域，作為PMOS3401管的源極/漏極區(qū)域。

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