全武漢儀器/儀表信息
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igbt靜態(tài)性能測試設備
普賽斯igbt靜態(tài)性能測試設備,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢18140663476 測試項目 集面議2025-04-08 -
晶圓/芯片微弱電流測試VI源表
武漢普賽斯儀表晶圓/芯片微弱電流測試VI源表標準的SCPI指令集,Y秀的性價比,良好的售后服務與技術支持,集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體,支持四象限工作S系列源表 應用 分立器件特性測試:電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、面議2025-04-08 -
直流特性IV曲線SMU數(shù)字源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%面議2025-04-08 -
脈沖IV特性測試數(shù)字源表
PXOOB系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達30A,Z大輸出電壓達300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。PXOOB系列源表適用于各行各業(yè)使用者面議2025-04-08 -
晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀
晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀優(yōu)勢: IV、CV一鍵測;一體機,支持遠程指令控制;支持三同軸接探針臺 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測試;詳詢一八一四零六六三四七六; 產(chǎn)品特點: 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力; 測量精度高,全量程下可面議2025-04-08 -
國產(chǎn)SMU數(shù)字源表高精密IV曲線掃描儀
國產(chǎn)SMU數(shù)字源表高精密IV曲線掃描儀認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,普賽斯S系列源表標準的SCPI指令集,U秀的性價比,良好的售后服務與技術支持,詳詢一八一四零六六三四七六 數(shù)字源表基本功能 集多種功能為一體的精密測量儀器,主要是測量電氣性能 SMU可以當電源,面議2025-04-08 -
大功率分立器件測試設備靜態(tài)參數(shù)分析儀
普賽斯分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,pA級電流精準面議2025-04-08 -
高精度國產(chǎn)DP300B型雙通道數(shù)字源表
產(chǎn)品簡介 DPX00B雙通道高精度臺式脈沖源表是在單通道脈沖臺式源表基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,單通道最大輸出電壓達300V,最大脈沖輸出電流達30A,支持四象限工作,2個通道可獨立或組合工作。 DPX00B雙面議2025-04-08 -
半導體特性測試儀IV曲線掃描儀
半導體特性測試儀IV曲線掃描儀認準普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應用面議2025-02-27 -
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導體參數(shù)分析儀
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導體參數(shù)分析儀特點: 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力; 測量精度高,全量程下可達0.03%精度; 內(nèi)置標準器件測試程序,直接調用測試簡便; 自動實時參數(shù)提取,數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù); 在CV和IV測量之間快速切換而無需重面議2025-02-27 -
半導體電學特性測試系統(tǒng)CV+IV測試儀
SPA-6100半導體電學特性測試系統(tǒng)CV+IV測試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試,旨在幫助加快前沿材料面議2025-02-27 -
MEMS氣體傳感器測試系統(tǒng)
通常,氣體傳感器 I-V 特性測試需要幾臺儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而,由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析,過程既復雜又耗時,還占用過多測試臺的空間。而且,使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復雜的相互間觸發(fā)操作,有更面議2025-02-27 -
汽車電流傳感器標定測試設備
汽車電流傳感器標定測試設備簡介 電流傳感器測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準測量各種電流傳感器(霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等)的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù),單臺大電流源電流可高達1000A。該系統(tǒng)可測量不同電流傳感器的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù),具有大電流特性、極面議2025-02-27 -
大電流脈沖源表
P系列功率mos管I-V電性能測試大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達10A,Z大輸出電壓達300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。P系列源表面議2025-02-27 -
高精度源表IV測試憶阻器直流特性
憶阻器基礎性能研究測試 憶阻器件的評估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測試,分析器件在相應的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學特性進行測量。 直流l-V特性測試 不同極性、不同大小的電壓(電流)激勵會面議2025-02-27 -
數(shù)字源表助力工程師提取半導體器件IV電性能參數(shù)
半導體分立器件是組成集成電路的基礎,包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場效應管等。 直流 I-V 測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析,或 I-V 曲線,來決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多,引腳數(shù)量和待測參數(shù)各不相面議2025-02-27 -
基于數(shù)字源表的高校微電子教學實驗平臺
基于數(shù)字源表的高校微電子教學實驗平臺特色: 1、外觀簡潔緊湊集成度高 2、通用開放型儀表平臺 以數(shù)字源表(SMU)為核心,覆蓋所有材料器件的直流特性測試;示波器、信號源、數(shù)字電橋等通用儀表完成動態(tài)參數(shù)測試實驗。 3、模塊化設計實驗夾具盒 4、引入集面議2025-02-27 -
功率mos管電性能分析IV測試大電流源表
P系列功率mos管電性能分析IV測試大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達10A,Z大輸出電壓達300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。P系列源表適面議2025-02-27 -
led漏電流測試高精度源表
LED必須在合適的電流電壓驅動下才能正常工作。其電壓-電流之間的關系稱為I-V特性。通過對LED電特性的測試,可以獲得對應正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)及漏電流(Ir)等參數(shù),以及相應的I-V曲線。常用的測試方法一般為在LED器件的兩端,加電壓測試電流,或者加電流測試電壓面議2025-02-27 -
雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表
雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表優(yōu)勢 ? 性能強大-作為電壓源和或電流源,并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作??梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?,預防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍,全量程測量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測量面議2025-02-27 -
GaN HEMT器件特性測試儀
GaN HEMT器件的評估一般包含直流特性(直流l-V測試)、頻率特性(小信號S參數(shù)測試)、功率特性(Load-Pull測試)。GaN HEMT器件特性測試儀就找普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六; 基于普賽斯S/CS系列源表的直流l-V特性測試系統(tǒng) 基于普賽斯Р系列脈沖源表/CP系列恒壓面議2025-02-27 -
高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
為應對各行各業(yè)對IGBT的測試需求,武漢普賽斯正向設計、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),可提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試,具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁面議2025-02-27 -
KV級高壓電源3500V高壓程控電源
E系列KV級高壓電源3500V高壓程控電源特點和優(yōu)勢: 十ms級的上升沿和下降沿; 單臺最大3500V的輸出; 0.1%測試精度; 同步電流或電壓測量; 支持程控恒壓測流,恒流測壓,便于掃描測試; 應用領域: 用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充面議2025-02-27 -
PL202型脈沖式直流電源
PL202型脈沖式直流電源特點和優(yōu)勢: 超窄至1us的脈沖; 大到30A的脈沖電流; 最大300A/us上升速度; 兼容CW和QCW模式; 豐富的軟件接口; PL202型脈沖式直流電源應用 醫(yī)療、美容激光器,典型波長為808nm等 光纖、固體激光器的泵浦源,典型波長為53面議2025-02-27 -
半導體器件IV+CV測試儀
半導體器件IV+CV測試儀認準普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案?,詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應用優(yōu)勢:面議2025-02-27 -
led&二極管反向漏電流測試設備
led&二極管反向漏電流測試設備測試項目 集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat 集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges 柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容 續(xù)流二極管壓降面議2025-02-27 -
二極管&led反向擊穿電壓測試設備
二極管&led反向擊穿電壓測試設備具有輸出及測量電壓高(3500V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~3500V,輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時支持豐富的I-V掃描模式。詳詢一八一四零六六三四七六; 二極管&面議2025-02-27 -
硅基and碳化硅特性曲線測試設備
硅基and碳化硅特性曲線測試設備優(yōu)勢 高電壓、大電流 具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(最大可擴展至10kV) 具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián)) 高精度測量 nA級漏電流, μΩ級導通電阻 0.1%精度測量 模塊化配置面議2025-02-27 -
大電流脈沖源表100A直流源表
HCP系列大電流脈沖源表100A直流源表具備直流和脈沖輸出能力,最大脈沖輸出電流100A,最大輸出電壓100V,支持四象限工作,輸出及測量精度均可達0.1%,可廣泛用于功率MOS測試、肖特二極管測試、整流橋堆測試及太陽能電池模組測試等。詳詢一八一四零六六三四七六; 應用面議2025-02-27 -
uApA級國產(chǎn)電流源
uApA級國產(chǎn)電流源認準普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應用優(yōu)勢: 1、面議2025-02-27 -
國產(chǎn)S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢
國產(chǎn)S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢 ? 性能強大-作為電壓源和或電流源,并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作??梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?,預防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍,全量程測量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測量,更準確的面議2025-02-27 -
寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表
寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯S系列、P系列源表標準的SCPI指令集,Y秀的性價比,良好的售后服務與技術支持,普賽斯儀表是手家國產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家,產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善,對標2400、2450、2611、2601B、2面議2025-02-27 -
寬禁帶器件測試高電壓大電流源
GaN HEMT器件性能的評估,一般包含靜態(tài)參數(shù)測試(I-V測試)、頻率特性(小信號S參數(shù)測試)、功率特性(Load-Pull測試)。靜態(tài)參數(shù),也被稱作直流參數(shù),是用來評估半導體器件性能的基礎測試,也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs(th)為例,其值的大小對研發(fā)人員設計器面議2025-02-27 -
半導體激光器參數(shù)測試設備激光器老化測試系統(tǒng)
普賽斯半導體激光器參數(shù)測試設備激光器老化測試系統(tǒng)是專為解決千瓦級大功率半導體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測試和老化、芯片發(fā)熱嚴重等問題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定面議2025-02-27 -
光電器件特性參數(shù)分析數(shù)字源表
光電探測器一般需要先對晶圓進行測試,封裝后再對器件進行二次測試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測器在工作時,需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對,從而完成光生載流子過程,因此光電探測器通常在反向狀態(tài)工作;測試時比較關注暗電流、反向擊穿電壓、結電面議2025-02-27 -
光電二極管性能測試精密源表
光電探測器光電測試 光電探測器一般需要先對晶圓進行測試,封裝后再對器件進行二次測試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測器在工作時,需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對,從而完成光生載流子過程,因此光電探測器通常在反向狀態(tài)工作;測試時比較關面議2025-02-27
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