第三代半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展方向主要包括碳化硅和氮化鎵

? ? ? ?第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱“聯(lián)盟”）在發(fā)布的《2020年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告》（以下簡稱“報(bào)告”）中表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體在新能源汽車、5G、光伏發(fā)電、快充等領(lǐng)域不斷取得突破，2020年全球第三代半導(dǎo)體市場將保持整體增長態(tài)勢。

?　　第一代半導(dǎo)體主要由硅制成，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦等領(lǐng)域。比如電腦和手機(jī)的處理器都采用這種硅基半導(dǎo)體技術(shù)。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵和銻化銦為代表，主要用于衛(wèi)星通信、移動通信、導(dǎo)航等領(lǐng)域。第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵、碳化硅為代表的化合物半導(dǎo)體，主要應(yīng)用于光電、電力電子、微波射頻等領(lǐng)域，如手機(jī)快充、新能源汽車、軌道交通、5G基站、航空航天等。

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?　　在接受記者采訪時，目前在布局第三代半導(dǎo)體，已經(jīng)推出碳化硅二極管樣品。目前采用IDM模式，意味著覆蓋了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的設(shè)計(jì)、制造、封裝、測試等多個環(huán)節(jié)。

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?　　上述人士進(jìn)一步介紹，與前兩代相比，第三代半導(dǎo)體的主要特色是帶隙寬、性價(jià)比高。寬帶隙是指產(chǎn)品具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度和高功率容限的特色。所以第三半導(dǎo)體的范圍和場景更好。

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?　　第三代半導(dǎo)體可用于手機(jī)、汽車、基站等。國內(nèi)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)商，涉及半導(dǎo)體襯底和外延的生產(chǎn)，主要生產(chǎn)6英寸產(chǎn)品。很多還在研發(fā)中，有些產(chǎn)品已經(jīng)上市。

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?　　根據(jù)2020年的報(bào)告，電力電子器件又稱功率器件，主要應(yīng)用于變流、功率放大、功率管理、變頻、變壓等領(lǐng)域，包括汽車電子、消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信等。幾乎應(yīng)用于所有電子制造行業(yè)。

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?　　目前，第三代半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展方向主要包括碳化硅和氮化鎵。碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體因其高帶隙和擊穿電壓，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅具有更高的熱導(dǎo)率和更成熟的技術(shù)，而氮化鎵具有電子遷移率高、飽和電子率高和成本較低的優(yōu)點(diǎn)。它們的不同優(yōu)勢決定了適用范圍的不同。