硅片切割的難點(diǎn)有哪些？

地殼中25.8%的硅含量為生產(chǎn)單晶硅提供了取之不盡的資源。由于硅是地殼中含量豐富的元素之一，對(duì)于太陽(yáng)能電池等注定要進(jìn)入大眾市場(chǎng)的產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，儲(chǔ)量?jī)?yōu)勢(shì)也是硅成為光伏主要材料的原因之一，所以要進(jìn)行硅片切割。

硅片的減薄不僅有效下降了硅材料的消耗，減薄所體現(xiàn)的硅片的柔韌性也為電池和組件端帶來(lái)了更多的可能性，除了切片設(shè)備、金剛石線、技術(shù)的制約，硅片的減薄也伴隨著電池和組件技術(shù)需求的變化。例如，異質(zhì)結(jié)電池（HIT）的對(duì)稱結(jié)構(gòu)、低溫或無(wú)應(yīng)力工藝可以完全適應(yīng)更薄的硅片，其效率不受厚度影響，即使減薄到100μm左右，取決于超低的表層復(fù)合和短路電流 Isc 的損失可以通過開路電壓 Voc 來(lái)補(bǔ)償，因?yàn)楣杵懈钤谌缃窈苁軞g迎。

硅片切割的難點(diǎn)：

1、雜質(zhì)線痕：多晶硅錠中的雜質(zhì)，在切片過程當(dāng)中無(wú)法去除，造成硅片上出現(xiàn)相關(guān)線痕。

2、劃痕：砂漿內(nèi)有較大的碳化硅顆?；蛏皾{結(jié)塊所致。在切割過程當(dāng)中，碳化硅顆?！翱ā痹阡摻z和硅片之間，不可溢出，造成線痕。表現(xiàn)形式：包括全線痕和半線痕，凹面、閃亮的線痕，比其他線痕更窄更薄。

3、密痕（dense traces）：由于研缽碾磨能力不足或切片機(jī)研缽回路系統(tǒng)問題，在硅片上出現(xiàn)密跡。

4、錯(cuò)位線痕：因切片機(jī)液壓夾緊裝置表層有砂漿等異物或托盤上殘留膠水等異物造成的線痕，造成液壓裝置與托盤無(wú)法夾緊，托盤 螺絲松了。