5G、AI、IoT需求爆發(fā) 臺積電擴(kuò)大特殊制程布局

全球新冠肺炎疫情加速了數(shù)字化腳步，對所有產(chǎn)業(yè)皆造成沖擊，但也加速與數(shù)字化轉(zhuǎn)型相關(guān)的投資激增，5G通訊、人工智慧（AI）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等需求爆發(fā)，晶圓代工龍頭臺積電總裁魏哲家在技術(shù)論壇上指出，即使在新冠肺炎疫情后，這類投資仍將持續(xù)，從而創(chuàng)造數(shù)位全球經(jīng)濟(jì)。 貞光科技獲知，為了搶攻5G、AI、IoT的龐大晶片市場大餅，臺積電除加快先進(jìn)制程技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)能布建，也同步擴(kuò)大成熟及特殊制程布局。臺積電特殊技術(shù)業(yè)務(wù)開發(fā)資深處長劉信生在技術(shù)論壇指出，臺積電致力為廣泛的應(yīng)用提供同級最佳的特殊制程技術(shù)，包括射頻（RF）及連網(wǎng)、CMOS影像感測、電源管理技術(shù)等。臺積電提供技術(shù)的客制化服務(wù)，為客戶創(chuàng)造獨特的差異性，并擁有完善的智慧財產(chǎn)權(quán)保護(hù)系統(tǒng)。 臺積電支援IoT和AI邊緣運算裝置推出超低功耗技術(shù)，12納米N12e制程將晶片工作電壓（VDD）下降到0.4V，實現(xiàn)了新等級AI應(yīng)用及極低電壓、低功耗的產(chǎn)品設(shè)計。臺積電指出已達(dá)到顯著減少漏電，以實現(xiàn)最低待機(jī)功耗。相較于28納米模組，N12e制程的待機(jī)漏電減少八倍，保留漏電則減少五倍。 再者，臺積電針對先進(jìn)的5G與連網(wǎng)RF技術(shù)，于2021年3月發(fā)布了6納米N6RF制程的流程設(shè)計套件，為5G行動網(wǎng)路和WiFi 7應(yīng)用提供卓越的RF功能和運算效率。相較于上一代16納米技術(shù)，新推出的N6RF技術(shù)效能提高20％，功耗與面積減少40％。至于28奈米在毫米波RF應(yīng)用方面也有增強(qiáng)，功耗效率提高20％。 貞光科技獲悉，在微控制器（MCU）及嵌入式非揮發(fā)性記憶體（eNVM）特殊制程部分，臺積電最先進(jìn)的非揮發(fā)性記憶體技術(shù)已進(jìn)展到28納米，并已通過Grade-1驗證，支援汽車應(yīng)用。 Grade-0代表產(chǎn)品可承受高達(dá)攝氏150度的溫度，預(yù)計于今年第三季通過驗證。臺積電亦推出40納米和22納米電阻式隨機(jī)存取記憶體（RRAM）技術(shù)已進(jìn)入生產(chǎn)，22納米磁性隨機(jī)存取記憶體（22MRAM）已經(jīng)開始生產(chǎn)。