MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0684K563

MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0684K563

電容器的頻率特性是廠家所關(guān)注的一項(xiàng)重要指標(biāo)，它關(guān)系到一個(gè)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)成功與失敗。
它與電容器的使用材料和制造方法密切相關(guān)，選用不同的材料和方法所制造出來(lái)的電容器
產(chǎn)品性能的差異是巨大的，而電容器廠家會(huì)根據(jù)電容器的用途而去選用不同的材料和方法。
隨著施加于電容器兩端頻率的升高，電容器的損耗加大，容量降低，耐壓下降。而我們
生產(chǎn)的薄膜電容器，在出售之前都會(huì)進(jìn)行頻率特性測(cè)試，下面介紹下我們的測(cè)試。

薄膜電容器工作頻率特性測(cè)試

1.選取一只聯(lián)接可調(diào)頻率電壓源上，將溫度傳感器堅(jiān)固電容器上。

2.打開(kāi)可調(diào)頻率電壓源，調(diào)度至適合的電壓值，頻率調(diào)度至最低，并用存儲(chǔ)示波器觀察波形。

3.垂垂升高頻率至30khz保持10分鐘并記錄溫度值，后每增加5khz保持10分鐘并記錄溫度值。

4.當(dāng)達(dá)到80khz每次增加1khz 保持10分鐘并記錄溫度值，直至達(dá)到電容器最高工作溫度，停
止測(cè)試。

聚酯薄膜與聚丙烯薄膜電容的區(qū)別
聚酯薄膜電容又稱為CL電容，聚丙烯薄膜電容又稱為CBB電容，兩種單從型號(hào)上是很
好區(qū)分的。一般聚酯膜電容都是以CL開(kāi)頭，而聚丙烯膜電容以CBB開(kāi)頭。兩者都具有自
愈性與無(wú)感特性。

兩者的主要區(qū)別如下：

1. 在高頻條件下，CBB電容的穩(wěn)定性高于CL電容。

2. 在相同的溫變條件下，CBB電容容量隨著溫度變化的范圍比CL電容小。

3. CBB電容的損耗比CL電容小，在頻率為1kHz的條件下，一般CBB電容損耗角正切值
tanδ為小于0.001，而CL電容的tanδ為小于0.01。

4. CBB電容與CL電容的絕緣性能都特別好，優(yōu)于其他電容器，而CBB電容的絕緣性能則
比CL電容更佳，比如在容量小于0.33uF時(shí)，CBB電容的絕緣電阻大于25000MΩ，而CL
電容則為大于7500 MΩ。

5. 與CBB電容相比，CL電容唯一的優(yōu)勢(shì)在于體積小，相同電壓，相同容量的情況下，
CL電容的體積可以做得比CBB電容小，這對(duì)于一些安裝有空間限制的客戶還是很受用
的。

由于CBB電容性能更佳，但是價(jià)格更貴，因此目前市場(chǎng)上有許多用CL電容冒充CBB
電容，光用目測(cè)很難發(fā)現(xiàn)二者的不同，推薦以下兩種方法供大家參考：

1. 測(cè)損耗值，若是小于0.001則為CBB電容，反之則為CL電容。

2. 用手掌型數(shù)字電容表和電吹風(fēng)來(lái)進(jìn)行試驗(yàn)，先把電容器放在電容表上測(cè)出冷態(tài)電容值，
然后用吹風(fēng)加熱電容器，再測(cè)電容值，若電容值變化過(guò)大，則為CL電容，反之為CBB電容。

薄膜電容有哪些用途？
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：用于電表降壓供電，載波信號(hào)傳輸
特性：（1）低損耗，高阻抗，高耐壓；（2）優(yōu)異的防潮性能；（3）優(yōu)異的阻燃性能；
（4）采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生；（5）長(zhǎng)期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性
金屬化聚酯薄膜電容器用途：旁路、隔直、耦合、退耦、脈沖、邏輯、定時(shí)、電路振蕩器

特性：(1)優(yōu)異的抗脈沖能力；(2)優(yōu)異的防潮性能；(3)優(yōu)異的阻燃性能；(4)高容量穩(wěn)定性

金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：專門設(shè)計(jì)用于電源串聯(lián)的電容降壓電路特性：
(1)低損耗，高阻抗，高耐壓；(2)優(yōu)異的防潮性能；(3)優(yōu)異的阻燃性能；(4)
高容量穩(wěn)定性，采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生(5)粉末包封，電容器體積更小
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途：用于電表降壓供電，載波信號(hào)傳輸

特性：（1）低損耗，高阻抗，高耐壓；（2）優(yōu)異的防潮性能；（3）優(yōu)異的阻燃性能；
（4）采用特殊工藝，防止破壞性電暈的產(chǎn)生；（5）長(zhǎng)期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性

TDK 薄膜電容器:額定電壓更高的堅(jiān)固耐用型Y2電容器
TDK公司推出一系列應(yīng)用于EMI抑制的新型愛(ài)普科斯 (EPCOS) MKP（金屬化聚丙烯）Y2薄膜電容器——B3203*系列電容器。與額定電壓為300 V AC的傳統(tǒng)型號(hào)相比，新型電容器的額定工作電壓高達(dá)350VAC，電容值范圍為4.7nF至1.2μF，可在嚴(yán)苛環(huán)境條件下確保穩(wěn)定的電容值。新型電容器均通過(guò)IEC 60384-14:2013/AMD1:2016認(rèn)證，并按照“高濕度條件下III 級(jí)耐久性測(cè)試B”分類。這些電容器在溫度為85℃，相對(duì)濕度為85％，工作電壓為350V AC的環(huán)境條件下進(jìn)行了溫度、濕度、偏置電壓 (THB) 測(cè)試，結(jié)果表明其電容量下降量不超過(guò)10％。新型電容器的最高工作溫度為110℃。

新型電容器獲得UL和EN認(rèn)證，且符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)。不同型號(hào)的電容器的引腳間距會(huì)有不同，分別為15mm (B32032*)、22.5mm (B32033*)、27.5mm (B32034*)或37.5mm (B32036*)，具體視電容值而定。電容器的外殼和環(huán)氧樹脂密封的阻燃等級(jí)符合UL94 V-0標(biāo)準(zhǔn)的要求。

新型Y2電容器可用于頻繁遭受惡劣環(huán)境影響和額定電壓要求更高的濾波器（如光伏逆變器或車載濾波器），用于抑制電磁干擾。

主要應(yīng)用

惡劣環(huán)境條件下（如光伏逆變器或車載濾波器）的電磁干擾抑制應(yīng)用

主要特點(diǎn)和效益

額定電壓增大至350VAC
寬泛的電容值范圍：4.7nF到1.2μF
通過(guò)UL和EN認(rèn)證

TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛(ài)普科斯 （EPCOS） 薄膜電容器

TDK集團(tuán)新推出超緊湊型愛(ài)普科斯 （EPCOS） 薄膜電容器。該新款電容器適用于逆變器中的直流鏈路，尺寸僅為40 mm x 58 mm（深x長(zhǎng)），額定電壓為直流350 V DC，電容值為65 μF。這意味著，這款訂貨號(hào)為B32320I2656J011的電容器具有0.9 μF/cm3超高電容密度，可提供比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品高出50%的電容量。此外，新電容器占用的印刷電路板 （PCB） 空間相對(duì)較小，且等效串聯(lián)電阻 （ESR） 僅為10 mΩ，紋波電流能力強(qiáng)，達(dá)3.7 A。

該電容器采用塑料和環(huán)氧樹脂密封材料，均具備UL 94 V0的阻燃等級(jí)，工作溫度范圍為-25 °C到+65 °C。電容器還帶集成熱熔絲設(shè)計(jì)，當(dāng)溫度達(dá)到115 °C、電流達(dá)5 A時(shí)會(huì)自動(dòng)跳閘。

其典型應(yīng)用包括逆變器中的高頻濾波，如家用電器和一般直流應(yīng)用中。

主要應(yīng)用

逆變器的高頻濾波，一般直流應(yīng)用

主要特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

超緊湊尺寸：40 mm x 58 mm（深x長(zhǎng)）

超高電容密度：0.9 μF/cm3

等效串聯(lián)電阻 （ESR）：僅10 mΩ

集成熱熔絲

TDK成功開(kāi)發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開(kāi)發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開(kāi)始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來(lái)在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時(shí) TDK株式會(huì)社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開(kāi)發(fā)出使用于智能手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開(kāi)始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機(jī)、手機(jī)、無(wú)線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來(lái)在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了面向智能手機(jī)等高性能移動(dòng)設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是，憑借薄膜工法實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通過(guò)薄膜材料和最佳形狀設(shè)計(jì)，與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過(guò)這些特性，該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性，因此命名為“Z-match”。