MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7334K566,TDK新能源汽車電容
2.5元2022-03-19 01:24:04
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北京友盛興業(yè)科技有限公司
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TDK突波吸收電容
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MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S8225K566, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S0125K566, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656A7474K000, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656A8105K000
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楊勇剛
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MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S7334K566,TDK新能源汽車電容
薄膜電容有哪些用途?
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途:用于電表降壓供電,載波信號傳輸
特性:(1)低損耗,高阻抗,高耐壓;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;
(4)采用特殊工藝,防止破壞性電暈的產(chǎn)生;(5)長期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性
金屬化聚酯薄膜電容器用途:旁路、隔直、耦合、退耦、脈沖、邏輯、定時、電路振蕩器
特性:(1)優(yōu)異的抗脈沖能力;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;(4)高容量穩(wěn)定性
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途:專門設(shè)計用于電源串聯(lián)的電容降壓電路特性:
(1)低損耗,高阻抗,高耐壓;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;(4)
高容量穩(wěn)定性,采用特殊工藝,防止破壞性電暈的產(chǎn)生(5)粉末包封,電容器體積更小
金屬化聚丙烯薄膜電容器用途:用于電表降壓供電,載波信號傳輸
特性:(1)低損耗,高阻抗,高耐壓;(2)優(yōu)異的防潮性能;(3)優(yōu)異的阻燃性能;
(4)采用特殊工藝,防止破壞性電暈的產(chǎn)生;(5)長期負(fù)載下優(yōu)異的電容量穩(wěn)定性


TDK-EPCOS B32520~B32529系列薄膜電容器
`EPCOS/TDK通用MKT堆疊/繞線薄膜電容器是符合AEC-Q200D標(biāo)準(zhǔn)的器件,具有高脈沖強度和高接觸可靠性。EPCOS/TDK通用MKT堆疊/繞線薄膜電容器采用堆疊薄膜技術(shù),引線間距為5mm至15mm。該電容器采用繞線電容器技術(shù),引線間距為10mm至37.0mm。應(yīng)用包括汽車用阻斷耦合和去耦合、旁路連接以及射頻干擾 (RFI) 保護(hù)。
特性:
高脈沖強度
高接觸可靠性
電容范圍:0.001~220uF
引線間距:5~37.5mm
電容容差:±5%,±10%,±20%
應(yīng)用:
汽車RFI,耦合,去耦等


TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器
TDK株式會社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱:Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時 TDK株式會社集團(tuán)下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱:Z-match TFSQ0402系列),并將從2011年8月開始量產(chǎn)。
該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中,同時實現(xiàn)了面向智能手機等高性能移動設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是,憑借薄膜工法實現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差:±0.05pF),并通過薄膜材料和最佳形狀設(shè)計,與以往產(chǎn)品相比達(dá)到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外,SRF特性也高達(dá)6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性,該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性,因此命名為“Z-match”。
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